| 出願番号 |
特願2015-215620 |
| 出願日 |
2015/11/2 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2017-092064 |
| 公開日 |
2017/5/25 |
| 登録番号 |
特許第6544688号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体ウエハの加工装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体ウエハの加工装置 |
| 目的 |
ＳｉＣ母材と加工部の間に電解電圧を印加して、ＳｉＣ母材表面に母材より硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成して加工を行う際、加工開始から終了まで、機械加工強度を最適値に維持して、加工効率と加工品位を両立させる。 |
| 効果 |
ＳｉＣ母材と加工部の間に、放電現象を回避しながら、ＳｉＣ酸化皮膜の生成速度と除去速度をバランスさせた理想的な加工状態を維持することができる。 |
技術概要
 |
砥粒を用いてＳｉＣ母材を加工する加工装置は、加工部に、砥粒を含む電解液を供給し、ＳｉＣ母材と加工部の間に電解電圧を印加することにより、ＳｉＣ母材表面に、硬度の低いＳｉＣ変性被膜を形成する。電界電圧の印加により流れる加工電流の電流値を計測する加工電流計測装置と、加工部の移動速度を計測する加工部移動速度計測装置とを具備し、Ｓ７で加工電流を移動速度で除することにより、加工部がＳｉＣ母材に対向する対向面積に関連する値を算出し、この値に基づいて、Ｓ１２で加工部における単位面積あたりの機械加工強度が一定となるよう制御する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)