半導体ウエハの加工装置

開放特許情報番号
L2016000255
開放特許情報登録日
2016/2/19
最新更新日
2017/7/27

基本情報

出願番号 特願2015-215620
出願日 2015/11/2
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2017-092064
公開日 2017/5/25
発明の名称 半導体ウエハの加工装置
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体ウエハの加工装置
目的 SiC母材と加工部の間に電解電圧を印加して、SiC母材表面に母材より硬度の低いSiC変性被膜を形成して加工を行う際、加工開始から終了まで、機械加工強度を最適値に維持して、加工効率と加工品位を両立させる。
効果 SiC母材と加工部の間に、放電現象を回避しながら、SiC酸化皮膜の生成速度と除去速度をバランスさせた理想的な加工状態を維持することができる。
技術概要
砥粒を用いてSiC母材を加工する加工装置は、加工部に、砥粒を含む電解液を供給し、SiC母材と加工部の間に電解電圧を印加することにより、SiC母材表面に、硬度の低いSiC変性被膜を形成する。電界電圧の印加により流れる加工電流の電流値を計測する加工電流計測装置と、加工部の移動速度を計測する加工部移動速度計測装置とを具備し、S7で加工電流を移動速度で除することにより、加工部がSiC母材に対向する対向面積に関連する値を算出し、この値に基づいて、S12で加工部における単位面積あたりの機械加工強度が一定となるよう制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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