酸化物半導体

基本情報

出願番号	特願2017-546510
出願日	2016/10/12
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	WO2017/069022
公開日	2017/4/27
登録番号	特許第6562321号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	酸化物半導体
技術分野	化学・薬品、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	酸化物半導体
目的	可視光領域で光吸収が少なく、かつ高い荷電担体の移動度が実現できる新規な酸化物半導体を提供すること。ｐ型の半導体特性を示す酸化物半導体を提供すること。
効果	本発明の酸化物半導体は価電子帯上端部がＳｎの５ｓ成分から構成される。このことにより、ｓ軌道は軌道半径が大きく等方的な球状であるため、電子の局在性を低下させ、高い移動度が構造乱れに対しても実現できるという効果を奏する。
技術概要	Ｓｎ及びＮｂを含むパイロクロア構造を有する酸化物複合体からなり、組成比Ｓｎ／Ｎｂが０．８１≦Ｓｎ／Ｎｂ＜１．０であることを特徴とする酸化物半導体。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所