酸化物半導体

開放特許情報番号
L2016000129
開放特許情報登録日
2016/1/28
最新更新日
2018/8/23

基本情報

出願番号 特願2017-546510
出願日 2016/10/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2017/069022
公開日 2017/4/27
発明の名称 酸化物半導体
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物半導体
目的 可視光領域で光吸収が少なく、かつ高い荷電担体の移動度が実現できる新規な酸化物半導体を提供すること。p型の半導体特性を示す酸化物半導体を提供すること。
効果 本発明の酸化物半導体は価電子帯上端部がSnの5s成分から構成される。このことにより、s軌道は軌道半径が大きく等方的な球状であるため、電子の局在性を低下させ、高い移動度が構造乱れに対しても実現できるという効果を奏する。
技術概要
Sn及びNbを含むパイロクロア構造を有する酸化物複合体からなり、組成比Sn/Nbが0.81≦Sn/Nb<1.0であることを特徴とする酸化物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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