| 出願番号 |
特願2015-197158 |
| 出願日 |
2015/10/2 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2017-066506 |
| 公開日 |
2017/4/6 |
| 登録番号 |
特許第6661189号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
グラフェン膜の作製方法 |
| 技術分野 |
金属材料、化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
グラフェン膜の作製方法 |
| 目的 |
プラズマＣＶＤによるグラフェン膜の低温作製において、高真空プロセス、かつ欠陥が増えて品質が低下する問題を解決すべく、より高圧プロセスで、欠陥が少ない良質なグラフェン膜作製手法、およびグラフェン膜を提供する。 |
| 効果 |
従来のプラズマＣＶＤ法によるグラフェン膜作製の課題である、高真空プロセスであり、かつ作製するグラフェン膜の品質が低下するという問題を解決し、中間圧から大気圧までの高い圧力、かつ５００℃以下の低い基材温度においても欠陥が少なく、結晶性が高いグラフェン膜を作製することが可能となる。また、本発明によれば、プラズマ処理の時間に関係なくグラフェン膜の層数が１〜２層で止まる自己成長停止条件で、欠陥のないグラフェン膜を作製することが可能となる。 |
技術概要
 |
含炭素ガスをノズルから前記基材の表面に吹き出しながら、前記ノズルにマイクロ波を印加してプラズマを生成するとともに、前記ガスの流速を制御して、前記ラジカルを前記基材の表面に強制拡散させることにより、金属基材表面にグラフェン膜を形成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)