グラフェン膜の作製方法

開放特許情報番号
L2016000122
開放特許情報登録日
2016/1/28
最新更新日
2017/6/27

基本情報

出願番号 特願2015-197158
出願日 2015/10/2
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2017-066506
公開日 2017/4/6
発明の名称 グラフェン膜の作製方法
技術分野 金属材料、化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 グラフェン膜の作製方法
目的 プラズマCVDによるグラフェン膜の低温作製において、高真空プロセス、かつ欠陥が増えて品質が低下する問題を解決すべく、より高圧プロセスで、欠陥が少ない良質なグラフェン膜作製手法、およびグラフェン膜を提供する。
効果 従来のプラズマCVD法によるグラフェン膜作製の課題である、高真空プロセスであり、かつ作製するグラフェン膜の品質が低下するという問題を解決し、中間圧から大気圧までの高い圧力、かつ500℃以下の低い基材温度においても欠陥が少なく、結晶性が高いグラフェン膜を作製することが可能となる。また、本発明によれば、プラズマ処理の時間に関係なくグラフェン膜の層数が1〜2層で止まる自己成長停止条件で、欠陥のないグラフェン膜を作製することが可能となる。
技術概要
含炭素ガスをノズルから前記基材の表面に吹き出しながら、前記ノズルにマイクロ波を印加してプラズマを生成するとともに、前記ガスの流速を制御して、前記ラジカルを前記基材の表面に強制拡散させることにより、金属基材表面にグラフェン膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT