RE123結晶膜作成方法

開放特許情報番号
L2016000115
開放特許情報登録日
2016/1/22
最新更新日
2016/1/22

基本情報

出願番号 特願2014-092661
出願日 2014/4/28
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2015-209363
公開日 2015/11/24
発明の名称 RE123結晶膜作成方法。
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 RE123結晶膜作成方法および作成用基板
目的 従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないRE123結晶膜作成方法を提供する。
効果 従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないRE123結晶膜作成方法を提供することができる。また、RE123をエピタキシャル成長させるのに好適な基板を提供することができる。
送電ロスを極限まで低減できる超伝導ケーブルや、周波数選択性を高め損失を極めて低減できる超伝導フィルタ、また、物性評価装置などに利用できる。
技術概要
希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa↓2Cu↓3O↓y(ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、溶融させた水酸化に溶解させること(溶融水酸化物法)で、500℃を越え700℃未満の還元雰囲気下において基板上にREBa↓2Cu↓3O↓yを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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