| 出願番号 |
特願2014-092661 |
| 出願日 |
2014/4/28 |
| 出願人 |
国立大学法人島根大学 |
| 公開番号 |
特開2015-209363 |
| 公開日 |
2015/11/24 |
| 登録番号 |
特許第6359328号 |
| 特許権者 |
国立大学法人島根大学 |
| 発明の名称 |
ＲＥ１２３結晶膜作成方法。 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
ＲＥ１２３結晶膜作成方法および作成用基板 |
| 目的 |
従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないＲＥ１２３結晶膜作成方法を提供する。 |
| 効果 |
従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないＲＥ１２３結晶膜作成方法を提供することができる。また、ＲＥ１２３をエピタキシャル成長させるのに好適な基板を提供することができる。
送電ロスを極限まで低減できる超伝導ケーブルや、周波数選択性を高め損失を極めて低減できる超伝導フィルタ、また、物性評価装置などに利用できる。 |
技術概要
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希土類系銅酸化物高温超伝導体ＲＥＢａ↓２Ｃｕ↓３Ｏ↓ｙ（ただし、ＲＥは希土類元素を表し、ｙは６〜７を表す。）を基板上に膜成長させる方法であって、ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕの組成比が１：２〜３：２〜７の間となる様に調整した原料を、溶融させた水酸化に溶解させること（溶融水酸化物法）で、５００℃を越え７００℃未満の還元雰囲気下において基板上にＲＥＢａ↓２Ｃｕ↓３Ｏ↓ｙを膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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