半極性(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物の結晶

開放特許情報番号
L2016000041
開放特許情報登録日
2016/1/8
最新更新日
2016/1/8

基本情報

出願番号 特願2012-206551
出願日 2012/9/20
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2013-010689
公開日 2013/1/17
登録番号 特許第5838523号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半極性(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物の結晶
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半極性(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物の結晶
目的 故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga、B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶を提供する。
効果 本発明は、より高い対称性をもつ基板上により低い対称性を持つ層の成長を促進するための方法を記述するものであり、その方法は、より低い対称性を持つ層の対称性に整合させるために、より高い対称性をもつ基板を故意にミスカットするステップと、該故意にミスカットした基板上にヘテロエピタキシャルにより低い対称性を持つ層を成膜するステップとを備えた方法である。
技術概要
結晶であって、(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなり、
該表面は少なくとも幅10μmであり、
該表面は半極性方位を有し、
該結晶はx線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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