スピン偏極電子発生素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015001948
開放特許情報登録日
2015/11/27
最新更新日
2016/10/20

基本情報

出願番号 特願2012-108186
出願日 2012/5/10
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2013-235750
公開日 2013/11/21
登録番号 特許第6001319号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン偏極電子発生素子及びその製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 歪み超格子層を用いたスピン偏極電子発生素子及びその製造方法
目的 構造を簡単にして、さらに、スピン偏極度及び外部量子効率を向上させること。
効果 スピン偏極度と外部量子効率とを向上させることができる。また、構造が簡単となると共に、製造が容易となる。また外部量子効率を向上させることができる。
技術概要
本第1発明は、バッファ層と基板との格子定数の差により、基板からバッファ層に大きな圧縮応力が印加されて、バッファ層の結晶成長の初期において、分散された島状の結晶核が基板上に形成されるように、バッファ層の化合物半導体の組成比を決定したことが特徴である。島状の結晶成長核が形成された後は、隣接する島状の結晶核が合体して均一な厚さの平面状のバッファ層となる。これにより、バッファ層上に形成される歪み超格子の厚さが均一一様となり、スピン偏極度及び外部量子効率が向上する。
また、本第2発明は、基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子の製造方法において、基板上に、成長初期において、格子定数が基板の格子定数よりも大きく、基板から面方向に圧縮歪みを受ける化合物半導体から成る分散した多数の島状の結晶核を成長させ、その後に、化合物半導体を基板の面に平行な方向に成長させることにより、バッファ層を基板上に成長させ、バッファ層上に、歪み超格子層を成長させることを特徴とするスピン偏極電子発生素子の製造方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT