半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2015001941
開放特許情報登録日
2015/11/25
最新更新日
2015/11/25

基本情報

出願番号 特願2012-163605
出願日 2012/7/24
出願人 学校法人上智学院
公開番号 特開2014-026999
公開日 2014/2/6
発明の名称 半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法
目的 所望の性能を有する半導体装置、この半導体装置に使用されるテンプレート基板、半導体装置の製造方法を提供する。
効果 本発明によれば、所望の性能を有する半導体装置、この半導体装置に使用されるテンプレート基板、半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
半導体装置1は、下地基板11および下地基板11に加熱接合された閃亜鉛鉱型構造の単結晶から構成される半導体層12を含むテンプレート基板と、このテンプレート基板の半導体層12上に単結晶の半導体層131〜133を成長させることで得られたデバイス構造13とを含む。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人上智学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT