出願番号 |
特願2010-156113 |
出願日 |
2010/7/8 |
出願人 |
学校法人上智学院 |
公開番号 |
特開2012-017226 |
公開日 |
2012/1/26 |
登録番号 |
特許第5702084号 |
特許権者 |
学校法人上智学院 |
発明の名称 |
ペロブスカイト型Mn酸化物および巨大磁気抵抗素子 |
技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
ペロブスカイト型Mn酸化物および巨大磁気抵抗素子 |
目的 |
室温以上においても大きなCMR効果を発現するペロブスカイト型Mn酸化物および巨大磁気抵抗素子を提供する。 |
効果 |
本発明のペロブスカイト型Mn酸化物および巨大磁気抵抗素子によれば、Aサイトの規則構造が維持されつつ、強磁性金属相と電荷・軌道整列絶縁体相とが二重臨界的に競合していることから、室温以上においても大きなCMR効果を発現することができる。 |
技術概要
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組成式R(Ba(1−x)R↓x)Mn↓2O↓6で表され、Rと(Ba(1−x)R↓x)とが層状に交互に配列した構造を有し、Rが、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luの少なくとも1種類から選択される元素であって、xが、0<x≦0.1を満たす任意の数であることを特徴とするペロブスカイト型Mn酸化物は、Aサイトの規則構造が維持されつつ、強磁性金属相と電荷・軌道整列絶縁体相とが二重臨界的に競合している。よって、室温以上においても大きなCMR効果を発現することができる。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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