半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置

開放特許情報番号
L2015001842
開放特許情報登録日
2015/11/10
最新更新日
2015/11/10

基本情報

出願番号 特願2013-143504
出願日 2013/7/9
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2015-018859
公開日 2015/1/29
発明の名称 半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置の製造方法、半導体装置および熱処理装置
目的 電気抵抗の低減を図ることができる半導体装置の製造方法、当該半導体装置および熱処理装置を提供する。
効果 半導体装置の電気抵抗の低減を図ることができる半導体装置、当該半導体装置の製造方法、および当該製造方法に用いる熱処理装置を提供することができる。
技術概要
SiCからなる半導体層を少なくとも1つ有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体層から水素の脱離が生じる第1温度以上の温度で処理を行う第1工程と、
前記第1工程よりも後に行われ、水素雰囲気中で熱処理を行う第2工程と、を含む
半導体装置の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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