ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法並びにそれにより得られるナノギャップ長を有する電極構造及びナノデバイス

開放特許情報番号
L2015001762
開放特許情報登録日
2015/10/28
最新更新日
2016/7/27

基本情報

出願番号 特願2013-503464
出願日 2012/2/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2012/121067
公開日 2012/9/13
登録番号 特許第5942297号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法、メッキ液及びナノデバイス
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法並びにそれにより得られるナノギャップ長を有する電極構造及びナノデバイス
目的 ギャップ長のバラツキを制御可能なナノギャップ長を有する電極構造の作製方法を提供する。ギャップ長のバラツキを抑えたナノギャップ長を有する電極構造及びそれを備えたデバイスを提供する。
効果 電極表面に保護基である界面活性剤の分子を分子定規として用いた無電解メッキ法により、ギャップ長を分子長で制御したナノギャップ電極を作製することができる。
ギャップ長をより精密に高い歩留まりで制御することができる。
高精度にギャップ長を制御しバラツキの小さい複数の電極対を提供することができ、ナノギャップを有する電極構造を用いて、ダイオード、トンネル素子、熱電子素子、熱光起電力素子等、ナノギャップ電極を有するナノデバイスを歩留まりよく製造することができる。
技術概要
金属層がギャップを有して対で配置されている基板を、金属イオンを含む電解液に還元剤及び界面活性剤が混入されてなる無電界メッキ液に浸漬することにより、上記還元剤により金属イオンが還元されて金属が上記金属層に析出しつつ上記界面活性剤が該金属の表面に付着してギャップの長さをナノメートルサイズに制御した電極対を形成する、ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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