プロトン伝導性積層構造体

開放特許情報番号
L2015001698
開放特許情報登録日
2015/10/20
最新更新日
2016/5/27

基本情報

出願番号 特願2015-145686
出願日 2015/7/23
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-031933
公開日 2016/3/7
発明の名称 プロトン伝導性積層構造体
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 プロトン伝導性積層構造体
目的 格段に改善された緻密層を形成することを可能として、プロトン伝導性を有する緻密層と多孔質支持体との新しい積層構造体と、これに基づく効率の高いプロトン伝導性セルおよびその作製方法を提供する。
効果 欠陥の少ない、さらには欠陥のほとんどない緻密層であることで、これに基づくプロトン伝導性セルの発電効率や最大出力密度は大幅に向上し、従来技術では全く予期できないレベルを実現可能としている。また、本発明ではこのような優れた特性を実現可能とするプロトン伝導性積層構造体の新しい作製方法を実現している。
技術概要
気孔率が10〜50vol%の多孔質支持体上にプロトン伝導性を有する緻密層が配設一体化されたプロトン伝導性積層構造体であり、多孔質支持体がBa(Ce,Zr,A)O↓3(A=Y,Yb,Inの少くとも一種)酸化物とMeO↓x(Me=Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cuの少くとも一種)酸化物との混合材料で構成され、緻密層の材料がBa(Ce,Zr,A)O↓3 (A=Y,Yb,Inの少くとも一種)酸化物であり、当該緻密層には、多孔質支持体に含まれるMeイオン(Me=Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cuの少くとも一種)が2〜5wt%含有されていることを特徴とするプロトン伝導性積層構造体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT