貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法   

開放特許情報番号
L2015001684
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-093196
出願日 2015/4/30
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-213247
公開日 2016/12/15
発明の名称 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
目的 バリア層を無くすことができ、機械的信頼性及び電気的信頼性を満足させる有機側壁絶縁膜を備える、貫通電極及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
効果 貫通電極11は、銅層12の側壁絶縁膜としてパリレン−HT膜13を用いたことにより、製造工程を削減でき、コスト低減にもつながる。
銅層12の側壁絶縁膜としてパリレン−HT膜13を用いることにより、バリア層を無くすことができ、機械的信頼性及び電気的信頼性を満足させる貫通電極を実現することができる。
技術概要
半導体基板に形成された貫通電極であって、半導体基板に形成された銅層と、銅層及び半導体基板の間であって銅層及び半導体基板に接して形成された、化学式(1)で示される側壁絶縁膜と、を有する。。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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