マルチフェロイック素子の初期化方法
- 開放特許情報番号
- L2015001645
- 開放特許情報登録日
- 2015/10/19
- 最新更新日
- 2019/3/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-506161 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/2/22 |
| 出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/9/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 | マルチフェロイック素子の初期化方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | マルチフェロイック素子の初期化方法 |
| 目的 | 従来技術における諸問題を解決し、安定した素子動作を得るためのマルチフェロイック素子の初期化方法を提供する。 |
| 効果 | 従来技術における諸問題を解決することができ、安定した素子動作を得るためのマルチフェロイック素子の初期化方法を提供することができる。 |
技術概要) |
アンチモン−テルル、ビスマス−テルル、及びビスマス−セレンのいずれかを主成分として形成される第１合金層と、前記第１合金層上に積層されるとともに下記一般式（１）で表される化合物を主成分として形成され、電気分極が生じないリセット相と前記電気分極が生ずるセット相との間で相転移する第２合金層とを含む積層構造体を有するマルチフェロイック素子に対し、
前記第２合金層の前記リセット相を前記セット相に相転移させる相転移温度以上の温度条件下で電場及び磁場の少なくともいずれかを加えることを特徴とするマルチフェロイック素子の初期化方法。 ただし、式（１）中、Ｍは、ゲルマニウム、アルミニウム及びシリコンのいずれかの原子を示し、ｘは、０．５以上１未満の数値を示す。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
)
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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