半導体−金属複合材料及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015001623
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2016/10/27

基本情報

出願番号 特願2015-030450
出願日 2015/2/19
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-152380
公開日 2016/8/22
発明の名称 半導体−金属複合材料及びその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体−金属複合材料及びその製造方法
目的 不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供する。
効果 不純物ドープ単結晶ダイヤモンドからなる半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、半導体と金属材料との接触抵抗値が非常に小さい、新規な半導体−金属複合材料を提供することができる。本発明の半導体−金属複合材料は、例えば100〜400℃程度の高温環境下においても、長期間に亘って非常に低い接触抵抗値を保持することができる。さらに、本発明によれば、当該半導体−金属複合材料を好適に製造することができる。
技術概要
半導体と金属材料とがオーミック接触した半導体−金属複合材料であって、
前記半導体は、ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープ単結晶ダイヤモンドであり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドの前記不純物の濃度が、1×10↑(19)〜1×10↑(22)cm↑(-3)であり、
前記不純物ドープ単結晶ダイヤモンドが、前記不純物とは異なる金属元素を含む、半導体−金属複合材料。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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