発光ダイオード及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015001588
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-117011
出願日 2015/6/9
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2017-005092
公開日 2017/1/5
発明の名称 発光ダイオード及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光ダイオード及びその製造方法
目的 酸化物によるp型半導体薄膜を実現することにより、化学的安定性及び長期耐久性に優れる、発光ダイオードを提供する。
効果 本発明のp型半導体層は、酸化物材料からなるので、化学的安定性と長期耐久性に優れる。また、本発明によれば、p型半導体薄膜を用いたpn接合構造を、酸化物材料で構成することができるので、長寿命化を図ることができる。
発光ダイオードを構成するペロブスカイト型関連構造を有する酸化物薄膜において、p型の半導体薄膜のキャリア移動度が0.02cm↑2/Vsを超えるものを実現し、さらに1.05cm↑2/Vs以上のものも可能とした。また、ペロブスカイト型関連構造の酸化物薄膜からなるp型半導体薄膜を用いたpn接合構造を実現した。
技術概要
p型半導体層と発光層とn型半導体層とを備える発光ダイオードであり、
前記p型半導体層が、
ペロブスカイト型関連構造を有し、Co、Rh、Ru、Mn、Irのうちの1種又は2種以上の元素と希土類元素とアルカリ土類金属元素とを含有する酸化物半導体薄膜であることを特徴とする発光ダイオード。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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