酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2015001587
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-117010
出願日 2015/6/9
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2017-005091
公開日 2017/1/5
発明の名称 酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物半導体薄膜、半導体素子、光電変換素子、太陽電池、及び酸化物半導体薄膜の製造方法
目的 酸化物によるp型半導体薄膜を実現することにより、化学的安定性及び長期耐久性に優れる、整流半導体素子、光電変換素子、太陽電池等を提供する。
効果 本発明のp型半導体薄膜は、酸化物材料からなるので、化学的安定性と長期耐久性に優れる。また、本発明によれば、p型半導体薄膜を用いたpn接合構造を、酸化物材料で構成することができるので、光電変換素子や太陽電池において、高効率化かつ長寿命化を図ることができる。ペロブスカイト関連構造における元素の組み合わせや組成を制御することにより、光電変換素子、とりわけ太陽電池に最適なバンドギャップ値を設定することができ、酸化物材料を用いて太陽電池を作製できるので、発電効率の高いメンテナンス不要な太陽電池モジュールを実現できる。
技術概要
ペロブスカイト型関連構造を有し、Co、Rh、Ru、Mn、Irのうちの1種又は2種以上の元素と希土類元素とアルカリ土類金属元素とを含有する酸化物半導体薄膜により、p型半導体を実現する。具体的組成が、化学式:(RE↓(1−x)AE↓x)M1O↓3、又は(AE↓(1−y)RE↓y)↓2M2O↓4(ただし、REは、希土類元素(Sc、Y、ランタノイド(La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu))のうちの1種又は2種以上の元素、AEは、アルカリ土類金属元素Ca、Sr、Baのうちの1種又は2種以上の元素、M1、M2は、Co、Rh、Ru、Mn、Irのうちの1種又は2種以上の元素、0<x≦1、0<y≦1)で表される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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