ノンコリニア磁気抵抗素子

開放特許情報番号
L2015001574
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2018/8/21

基本情報

出願番号 特願2017-519402
出願日 2016/5/19
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2016/186178
公開日 2016/11/24
発明の名称 ノンコリニア磁気抵抗素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気抵抗素子
目的 室温で“コーン磁化状態”を持ち、素子1個(記憶単位)について10年以上の記憶保持時間を持つ不揮発性のノンコリニアMR素子を提供すること。
効果 素子1個(1bit)の記憶保持時間が10年以上となる。1つの基板に多数の素子を配置して大容量のメモリを作製する場合、ERTがより大きいことが好ましい。基板(メモリ)全体として記憶保持の保証を考えると、確率の問題で、素子1個については、より大きなERTが好ましい。
技術概要
磁気抵抗素子(以下、単にMR素子という)は、基本的には3層構造を有し、その構造は、自由層と固定層とその間に挟まれた非磁性層からなる。原理的には、MR素子には、巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto Resistive effect)を利用するものと、トンネル磁気抵抗効果(TMR:Tunnel Magneto Resistance Effect)を利用するものと2種ある。いずれにせよ、自由層と固定層の各磁化の向きが平行の場合と反平行の場合があり、これをデジタル信号の“0”、“1”に対応づける。MR素子は現在多用されているDRAMとSRAMを代替するMRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)として期待されている。特に微小化できるので、MR素子はGbit級の不揮発性メモリとしての応用も期待されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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