不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015001567
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-098261
出願日 2015/5/13
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-213409
公開日 2016/12/15
発明の名称 不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 ダイヤモンドに不純物がドープされた、単結晶構造を有する不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法
目的 単結晶構造を有している不純物ドープダイヤモンドを提供する。
効果 熱フィラメント法によって合成されており、単結晶構造を有する不純物ドープダイヤモンド及びその製造方法を提供することができる。
技術概要
 
ダイヤモンドに不純物がドープされた、不純物ドープダイヤモンドであって、不純物ドープダイヤモンドは、ホウ素及びリンの少なくとも一方を不純物として、その濃度が、1×1018cm-3〜1×1022cm-3であり、熱フィラメントCVD法により好適に高濃度不純物ドープダイヤモンドを長時間にわたり合成することができ、単結晶構造を有している。透過FT−IRによって測定される有効アクセプタ密度と、二次イオン質量分析法で測定される不純物濃度との比によって算出されるホール活性化率(有効アクセプタ密度/不純物濃度)が、95%以上である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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