| 出願番号 |
特願2015-096523 |
| 出願日 |
2015/5/11 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2016-213349 |
| 公開日 |
2016/12/15 |
| 登録番号 |
特許第6519785号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
３次元集積回路に使用される貫通電極及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
| 目的 |
熱応力分布を最適化することができる新規な貫通電極及びその製造方法、並びに信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
本実施形態に係る貫通電極を備える半導体装置によれば、貫通電極の形成に伴う熱機械的信頼性の問題を解決することができることから、デバイスの信頼性を向上させることができる。また、貫通電極を高密度に配置できることから、３次元実装に有用な半導体装置を提供することができる。 |
技術概要
 |
半導体基板に絶縁層を介して形成された貫通電極であって、導電性のコア層と、前記コア層と前記絶縁層との間に形成され、前記半導体基板と同じ材料を含む筒形状の半導体層と、を有する、貫通電極。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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