遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置

開放特許情報番号
L2015001564
開放特許情報登録日
2015/10/19
最新更新日
2017/2/27

基本情報

出願番号 特願2015-096023
出願日 2015/5/8
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-211038
公開日 2016/12/15
発明の名称 遷移金属シリサイド膜、その製造方法及び製造装置並びに半導体装置
技術分野 金属材料、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 遷移金属シリサイド膜、該遷移金属シリサイド膜を用いた半導体装置、並びに該遷移金属シリサイド膜の製造方法及び製造装置
目的 半導体装置などに有用な遷移金属シリサイド膜、該遷移金属シリサイド膜を用いた半導体装置、並びに該遷移金属シリサイド膜の製造方法及び製造装置を提供する。
効果 本発明の遷移金属シリサイド膜は、所望の光学ギャップや電子移動度の特性を有する膜を実現可能であるので、半導体装置の電極構造、半導体チャンネル層、ディスプレイ等に幅広く利用できる。また、本発明の製造方法や製造装置によれば、遷移金属シリサイド膜の大面積化、均一化に適し、LSIの集積化や微細化等がさらに期待でき、産業上有用である。
技術概要
シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜を、遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスの化学反応により作製することにより実現する。遷移金属の原料ガスとシリコンの原料ガスを気相中で化学反応させることにより、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の前駆体を気相中で作製した後に、該前駆体を基板上に堆積して、シリコン/遷移金属の組成比が3より大で16以下の遷移金属シリサイド膜を該基板上に作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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