窒化物半導体用基板および窒化物半導体用基板の製造方法

開放特許情報番号
L2015001345
開放特許情報登録日
2015/8/27
最新更新日
2015/8/27

基本情報

出願番号 特願2011-083742
出願日 2011/4/5
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2012-218952
公開日 2012/11/12
登録番号 特許第5746544号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 窒化物半導体用基板および窒化物半導体用基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化物半導体用基板、窒化物半導体用基板の製造方法
目的 大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
効果 本発明では、大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供することが可能となる。また、そのような窒化物半導体用基板を製造する方法を提供することができる。
例えば、発光ダイオード(LED)用の基板、半導体レーザ素子用の基板、およびその他の各種発光素子用の基板として使用することができる。
技術概要
基材と、該基材の上部に設置されたバッファ層と、該バッファ層の上部に設置された窒化物半導体層とを有する窒化物半導体用基板であって、
前記基材は、石英ガラスで構成され、
前記バッファ層は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)の窒化物を含み、
前記窒化物半導体層は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)を含む窒化物半導体で構成され、
前記基材と前記バッファ層の間には、応力緩和層が設置され、
該応力緩和層は、前記基材に近い側のアモルファス層および前記基材に遠い側の結晶化層を有し、前記アモルファス層および前記結晶化層は、同じ材料で構成され、窒化珪素または酸窒化珪素を含み、前記アモルファス層と前記結晶化層の合計は、0.1μm〜10μmの範囲の厚さ(ただし0.1μmは除く)を有し、または
前記応力緩和層は、前記基材に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記結晶成分を含むアモルファス層は、窒化珪素または酸窒化珪素を含み、前記結晶成分を含むアモルファス層は、0.1μm〜10μmの範囲の厚さ(ただし0.1μmは除く)を有することを特徴とする窒化物半導体用基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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