スピン注入磁化反転素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器

開放特許情報番号
L2015001337
開放特許情報登録日
2015/8/27
最新更新日
2015/8/27

基本情報

出願番号 特願2010-094021
出願日 2010/4/15
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2011-228341
公開日 2011/11/10
登録番号 特許第5679690号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 スピン注入磁化反転素子ならびにこれを用いた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 スピン注入磁化反転素子および磁気ランダムアクセスメモリあるいは空間光変調器
目的 バイアス磁界の印加が不要なスピン注入磁化反転素子、ならびにこのスピン注入磁化反転素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリおよび空間光変調器を提供すること。
効果 バイアス磁界の印加がなくても、磁化反転動作が安定した垂直磁気異方性の磁気抵抗素子とすることができる。そして、本発明に係る磁気ランダムアクセスメモリによれば、大容量で、データの書き込み/読み出し動作が高速で安定したものとすることができる。また、本発明に係る空間光変調器によれば、高精細かつ高速応答で画素選択性に優れたものとすることができる。
技術概要
磁気抵抗素子1は、磁化固定層11と中間層12と磁化自由層13とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層11がTb↓x(Fe,Co)↓(1-x)(0.20≦x≦0.25)の組成を有するTbFeCo合金からなることを特徴とする。磁化固定層11をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層13への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層13の正の磁化反転電流I↓1と負の磁化反転電流I↓0をほぼ同じ大きさとすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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