半導体基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015001312
開放特許情報登録日
2015/8/19
最新更新日
2016/9/22

基本情報

出願番号 特願2011-098927
出願日 2011/4/27
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2012-231037
公開日 2012/11/22
登録番号 特許第5979625号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体基板の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体基板、詳しくは絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素(SiC)基板とその製造方法
目的 絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である、低抵抗p型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。
効果 p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板は、高性能炭化珪素デバイス作製に道を開くものであり、将来的なデバイス作製プロセスにおいても重要な位置づけになる。
技術概要
絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、例えば、アルミニウムイオンを注入しp型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなる、p型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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