色素増感型光電変換素子の光入射側電極の製造法

開放特許情報番号
L2015001272
開放特許情報登録日
2015/8/11
最新更新日
2015/8/11

基本情報

出願番号 特願2013-196730
出願日 2013/9/24
出願人 学校法人同志社
公開番号 特開2015-064944
公開日 2015/4/9
発明の名称 色素増感型光電変換素子の光入射側電極の製造法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 色素増感型太陽電池の光入射側電極を製造する方法
目的 色素増感型光電変換素子の光入射側電極を安価にかつ安定的に製造できる方法を提供する。
効果 透明基板から遠ざかるにつれて、次第に粒径がより大きい半導体微粒子の割合が増大するような構造とすることができる。
入射光を半導体微粒子層によって効率的に捕集することが可能となる。
光電変換素子の光入射側電極をより短時間に低コストで製造することができる。
さらに、電気泳動によって透明基板上に半導体微粒子層を形成するので、サイズの大きな電極や、平板状以外の形状の電極であっても安定的に製造することが可能である。
技術概要
平均粒径が異なる複数の半導体微粒子群を準備する(S1)。複数の半導体微粒子群のそれぞれを個別に分散媒中に混ぜて複数のコロイドを形成する(S2)。平均粒径が最小の半導体微粒子群のコロイド中に、一方が透明導電膜を有する透明基板からなる一対の電極を挿入し、電極間に電流を流して電気泳動を行う(S3)。電気泳動の間に、残りの半導体微粒子群のコロイドを平均粒径が小さいものから順に、所定の時間間隔で所定量添加することにより、透明基板の透明導電膜上に半導体微粒子を積層する(S4)。半導体微粒子を積層した透明基板を熱処理し(S5)、当該透明基板上の半導体微粒子層に色素を吸着させる(S6)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人同志社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT