カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2015001249
開放特許情報登録日
2015/8/10
最新更新日
2015/8/10

基本情報

出願番号 特願2009-200704
出願日 2009/8/31
出願人 学校法人神奈川大学
公開番号 特開2011-051813
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5483062号
特許権者 学校法人神奈川大学
発明の名称 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
目的 イオン注入法を用いつつ触媒元素の成長核が形成されたカーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、この基材を用いたカーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
効果 絶縁膜で被覆され且つ基板に対し1000℃以下の温度でイオン注入するので、基板と絶縁膜との界面に注入されたイオンが集合し、小径の成長核を形成できる。また、所定の結晶方位を有する基板を用いるので、形成される成長核の結晶方位が互いに揃いやすい。このため、かかる成長核上に炭素構造体を成長させることで、カーボンナノチューブのカイラリティを制御することが期待できる。
技術概要
表面に絶縁膜が位置し且つ所定の結晶方位を有する基板に対し、この基板を200℃以上1000℃以下の所定温度に調節した状態にて、触媒元素のイオンを注入することで、前記触媒元素を含む結晶化した成長核を、前記基板と前記絶縁膜との界面に形成させる成長核形成工程を有する、カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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