半導体素子構造の形成方法、及び半導体素子

開放特許情報番号
L2015001229
開放特許情報登録日
2015/8/10
最新更新日
2015/8/10

基本情報

出願番号 特願2011-530849
出願日 2010/9/8
出願人 学校法人神奈川大学
公開番号 WO2011/030782
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5700563号
特許権者 学校法人神奈川大学
発明の名称 半導体素子構造の形成方法、及び半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体素子構造の形成方法、及び半導体素子
目的 半導体素子の性能を向上できる半導体素子構造の形成方法、及び性能の向上した半導体素子を提供する。
効果 本発明によれば、被覆層が一部に施された歪半導体層を絶縁酸化膜上に有する基板の面上よりイオン注入を行うことで、ヘテロ接合が、同じ半導体素材で構成される歪半導体層と緩和半導体層との間に形成される。このため、異質物原子の拡散による諸問題が解消され、半導体素子の性能を向上することができる。
技術概要
被覆層が一部に施された歪半導体層を絶縁酸化膜上に有する基板の面上よりイオン注入を行い、前記被覆層で遮蔽された歪半導体層の歪状態を維持する一方、前記被覆層で遮蔽されていない歪半導体層の歪状態を緩和し緩和半導体層へと変化させることで、前記歪状態を維持した前記歪半導体層と、前記緩和半導体層との間にヘテロ接合を形成するヘテロ接合形成工程を有する半導体素子構造の形成方法であって、
前記被覆層は、前記半導体の酸化物で構成される酸化膜と、前記酸化膜を被覆するゲート電極とを有し、
前記方法は、前記イオンの反跳エネルギ分布のピークが、前記歪半導体層と前記絶縁酸化膜との界面に理論的に位置するようにエネルギを調節する、半導体素子構造の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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