ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法

開放特許情報番号
L2015001122
開放特許情報登録日
2015/7/9
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2013-543456
出願日 2013/3/11
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2014/030371
公開日 2014/2/27
登録番号 特許第5499225号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ゲルマニウム層上に窒化酸化アルミニウム膜を備える半導体構造およびその製造方法
目的 ゲルマニウム層と窒化酸化アルミニウム膜との界面状態の劣化を抑制する。
効果 ゲルマニウム層と窒化酸化アルミニウム膜との界面状態の劣化を抑制することができる。
技術概要
ゲルマニウム層30と、前記ゲルマニウム層上に形成された窒化酸化アルミニウム膜32と、を具備し、前記窒化酸化アルミニウム膜のEOTが2nm以下であり、前記窒化酸化アルミニウム膜上に金属膜としてAuを形成した際の前記金属膜の前記ゲルマニウム層に対する電圧を反転領域側に0.5V印加したときの前記ゲルマニウム層と前記金属膜との周波数が1MHzにおける容量値をCit、蓄積領域における前記ゲルマニウム層と前記金属膜との容量値をCaccとしたとき、Cit/Caccは0.4以下である半導体構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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