| 出願番号 |
特願2013-532772 |
| 出願日 |
2013/3/8 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2014/030370 |
| 公開日 |
2014/2/27 |
| 登録番号 |
特許第5401635号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
ラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法、ならびに、ラマン散乱光増強デバイスを用いたラマンレーザ光源 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法、ラマンレーザ光源 |
| 目的 |
導波路の形成方向を最適化することによって、より強いラマン散乱光を得ることのできるラマン散乱光増強デバイス、ラマン散乱光増強デバイスの製造方法を提供する。 |
| 効果 |
導波路の形成方向を最適化することによって、より強いラマン散乱光を得ることができ、ラマンレーザの連続発振、サイズ最小化、省電力化、大量生産可能による低コスト化を実現することが可能となる。 |
技術概要
 |
半導体基板に空孔が形成されたフォトニック結晶において、入射光に対して複数の周波数で共鳴モードを有する導波路を備えるラマン散乱光増強デバイスであって、
一の共鳴モードと他の共鳴モードとの周波数差が前記半導体基板のラマンシフト周波数に等しくなっているとともに、
前記二つの共鳴モードの電磁界分布と前記半導体基板のラマンテンソルとによって表されるラマン遷移確率が最大となるように、前記半導体基板の結晶方位面における前記導波路の形成方向が設定されていることを特徴とするラマン散乱光増強デバイス。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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