超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法

開放特許情報番号
L2015001008
開放特許情報登録日
2015/5/11
最新更新日
2015/5/11

基本情報

出願番号 特願2013-091552
出願日 2013/4/24
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2014-216430
公開日 2014/11/17
発明の名称 超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法
目的 簡単な構成で、受光効率の低下を抑制しつつ応答速度を高くすることができる超伝導単一光子検出器およびその受光配線の構造決定方法を提供する。
効果 簡単な構成で、受光効率の低下を抑制しつつ応答速度を高くすることができる超伝導単一光子検出器が得られる。
技術概要
超伝導単一光子検出器1の受光配線12は、受光領域Aに対する占有率と受光配線12の基板11の主面に垂直な方向の厚みとの組み合わせとして、当該厚みが4nmかつ占有率が50%である場合の光吸収効率を基準光吸収効率Paoとした際に、占有率が50%未満かつ厚みが4nmより大きい組み合わせのうち基準光吸収効率Paoより高い光吸収効率Paが得られるような占有率と厚みとの組み合わせを有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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