センサにおける温度補償方法、該温度補償方法の演算プログラム、演算処理装置、及び、センサ

開放特許情報番号
L2015000986
開放特許情報登録日
2015/5/8
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願2013-518152
出願日 2012/5/31
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2012/165536
公開日 2012/12/6
登録番号 特許第5757439号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 センサにおける温度補償方法、該温度補償方法の演算プログラム、演算処理装置、及び、センサ
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 温度補償方法、演算プログラム、演算処理装置、及び、センサ
目的 本発明の目的は、キャビティー内の気体の温度による圧力変化(キャビティー内に封止されている気体の熱膨張)に起因したダイアフラムの変形を相殺し、対象とする温度範囲でダイアフラムの変形を抑制することにより、最適な温度補償を行うことのできる、センサにおける温度補償方法、該温度補償方法の演算プログラム、該演算プログラムを演算処理する演算処理装置、及び、センサを提供すること。
効果 密閉空間内の気体の温度による圧力変化(密閉空間内に封止されている気体の熱膨張)に伴うダイアフラム部の変形を相殺し、対象とする温度範囲でダイアフラム部の変形を抑制することにより、最適な温度補償を実現することができる。
技術概要
一方の面に第1の電極部が形成されている基板と、前記基板の一方の面に絶縁体層を介して形成された導電部と、前記導電部において前記絶縁体層が形成されている面と反対側の面に形成され、圧力に応じて変形するダイアフラム部と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている面と反対側の面に形成された温度補償部材とを備え、内部に密閉空間を有し、前記導電部の内周面と、前記ダイアフラム部において前記導電部が形成されている側の面と、が前記密閉空間の一部を形成しているセンサにおいて、前記温度補償部材によって前記密閉空間内に封止されている気体の熱膨張に起因した前記ダイアフラム部の変形を補償するセンサにおける温度補償方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT