| 出願番号 |
特願2016-570694 |
| 出願日 |
2016/1/21 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2016/117633 |
| 公開日 |
2016/7/28 |
| 登録番号 |
特許第6548230号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブ |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体単層カーボンナノチューブ及びその製造方法 |
| 目的 |
これまで以上の大きな発光エネルギーシフトを達成して発光波長を長波長化すること、特に、組織又は生体用の透過性近赤外蛍光プローブとして好ましい、生体透過性を有する波長に、その発光波長のピークを有する半導体ＳＷＣＮＴを得ること。 |
| 効果 |
本発明によれば、従来法では達成し得なかった発光エネルギーが２９６±１０ｍｅＶ低エネルギー化した半導体ＳＷＣＮＴを得ることができる。また、本発明を、カイラル指数(６，５)を持つＳＷＣＮＴに適用すると、その発光波長のピークは約９８０ｎｍ(＝１.２６５ｅＶ)から、生体透過性をより有する１２８０±１３ｎｍ(＝０.９６８６±０.０１ｅＶ)へと変化するため、細胞や生体用の近赤外蛍光プローブとして好ましい波長帯に発光波長のピークを有するものが得られる。 |
技術概要
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大気中で半導体単層カーボンナノチューブに直接紫外線を照射することにより、オゾンを発生させて半導体単層カーボンナノチューブを酸化処理することを特徴とする近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)