出願番号 |
特願2016-570694 |
出願日 |
2016/1/21 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
WO2016/117633 |
公開日 |
2016/7/28 |
登録番号 |
特許第6548230号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブ |
技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
半導体単層カーボンナノチューブ及びその製造方法 |
目的 |
これまで以上の大きな発光エネルギーシフトを達成して発光波長を長波長化すること、特に、組織又は生体用の透過性近赤外蛍光プローブとして好ましい、生体透過性を有する波長に、その発光波長のピークを有する半導体SWCNTを得ること。 |
効果 |
本発明によれば、従来法では達成し得なかった発光エネルギーが296±10meV低エネルギー化した半導体SWCNTを得ることができる。また、本発明を、カイラル指数(6,5)を持つSWCNTに適用すると、その発光波長のピークは約980nm(=1.265eV)から、生体透過性をより有する1280±13nm(=0.9686±0.01eV)へと変化するため、細胞や生体用の近赤外蛍光プローブとして好ましい波長帯に発光波長のピークを有するものが得られる。 |
技術概要
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大気中で半導体単層カーボンナノチューブに直接紫外線を照射することにより、オゾンを発生させて半導体単層カーボンナノチューブを酸化処理することを特徴とする近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブの製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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