近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブ

開放特許情報番号
L2015000918
開放特許情報登録日
2015/4/24
最新更新日
2018/8/22

基本情報

出願番号 特願2016-570694
出願日 2016/1/21
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2016/117633
公開日 2016/7/28
発明の名称 近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブ
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体単層カーボンナノチューブ及びその製造方法
目的 これまで以上の大きな発光エネルギーシフトを達成して発光波長を長波長化すること、特に、組織又は生体用の透過性近赤外蛍光プローブとして好ましい、生体透過性を有する波長に、その発光波長のピークを有する半導体SWCNTを得ること。
効果 本発明によれば、従来法では達成し得なかった発光エネルギーが296±10meV低エネルギー化した半導体SWCNTを得ることができる。また、本発明を、カイラル指数(6,5)を持つSWCNTに適用すると、その発光波長のピークは約980nm(=1.265eV)から、生体透過性をより有する1280±13nm(=0.9686±0.01eV)へと変化するため、細胞や生体用の近赤外蛍光プローブとして好ましい波長帯に発光波長のピークを有するものが得られる。
技術概要
大気中で半導体単層カーボンナノチューブに直接紫外線を照射することにより、オゾンを発生させて半導体単層カーボンナノチューブを酸化処理することを特徴とする近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT