半導体製造装置および半導体製造方法

開放特許情報番号

L2015000916

開放特許情報登録日

2015/4/24

最新更新日

2019/2/20

基本情報

出願番号	特願2015-010985
出願日	2015/1/23
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2016-136565
公開日	2016/7/28
登録番号	特許第6449026号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	半導体製造装置および半導体製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	半導体製造装置、半導体製造方法
目的	酸化物半導体前駆体薄膜を低温加熱して移動度が高い酸化物半導体を製造する半導体製造装置を提供する。
効果	低温加熱処理で高い移動度の酸化物半導体を得ることができる。また、同一面内で製造された半導体デバイスの性能のバラつきを抑制できる。
技術概要	半導体製造装置１０は、基材Ｓと、基材Ｓ上に形成された酸化物半導体前駆体薄膜Ｐとを備える被処理体Ｗを処理して酸化物半導体を製造する。半導体製造装置１０は、被処理体Ｗを収容する処理容器１２と、処理容器１２内に設けられ、被処理体Ｗを載置する処理台１４と、処理台１４と対向するように処理容器１２内に設けられた低圧水銀ランプ１６と、処理台１４を加熱するヒーター１８と、処理容器１２内に水蒸気を含む気体を供給する水蒸気供給機２０とを備えている。紫外光が透過する仕切板２２によって、処理容器１２は、低圧水銀ランプ１６が配置されたランプ室４４と、処理台１４が配置された処理室４６とに区分されている。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】