ペロブスカイト酸化物薄膜の作製方法およびこれを利用したメモリ素子

開放特許情報番号

L2015000907

開放特許情報登録日

2015/4/24

最新更新日

2019/4/23

基本情報

出願番号	特願2015-001745
出願日	2015/1/7
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2016-127209
公開日	2016/7/11
登録番号	特許第6479480号
特許権者	国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称	不揮発性メモリ素子
技術分野	電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	メモリ素子およびその作製方法
目的	強誘電体をバリア層として用いたトンネル接合構造において、非常に高い平坦性を有するバリア層・電極界面を実現し、不揮発メモリ素子において、高性能の不揮発メモリ動作を提供する。
効果	シリコン基板上において、高平坦性(平均荒さ0.3nm以下)、完全[001]配向、高結晶性、かつ一定の格子定数を有する高品質のペロブスカイト酸化物の薄膜積層構造を形成できる。 これにより、強誘電体をバリア層として用いたトンネル接合構造において、非常に高い平坦性を有するバリア層・電極界面を実現し、不揮発メモリ素子において、高性能の不揮発メモリ動作を提供することができる。
技術概要	自然酸化膜を有するシリコン(001)基板の上に蛍石型構造の薄膜からなるバッファー層を堆積し、 その上に、岩塩構造の酸化物薄膜とその表面が平坦なペロブスカイト構造の酸化物薄膜よりなる複合バッファー層構造を順次堆積して、 その上に、１種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を順次堆積して、 その表面がトンネル接合し得る程度に平坦な１種類以上のペロブスカイト型構造の酸化物薄膜を積層した構造を得ることを特徴とする、ペロブスカイト酸化物薄膜積層構造の作製方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】