| 出願番号 |
特願2011-518362 |
| 出願日 |
2010/4/27 |
| 出願人 |
日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 |
WO2010/143479 |
| 公開日 |
2010/12/16 |
| 登録番号 |
特許第5634992号 |
| 特許権者 |
日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 |
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法 |
| 目的 |
従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制すること。 |
| 効果 |
このように構成した本発明によれば、従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制することができる。 |
技術概要
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イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、 前記イオン源及び前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームをターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる１又は複数の磁石と、電子を生成する１又は複数の電子源と、を備え、前記電子源が、前記磁石のイオンビーム上流側及び／又は下流側に形成される磁場勾配領域内に配置され、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されるとともに、前記電子源の電子射出方向が、前記磁場勾配領域に電子が供給されるように向けられて、前記電子源から射出された電子が、前記磁場勾配領域における前記イオンビームと交わる領域に供給されることを特徴とするイオンビーム照射装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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