イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法

開放特許情報番号
L2015000875
開放特許情報登録日
2015/4/23
最新更新日
2015/4/23

基本情報

出願番号 特願2011-518362
出願日 2010/4/27
出願人 日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学
公開番号 WO2010/143479
公開日 2010/12/16
登録番号 特許第5634992号
特許権者 日新イオン機器株式会社、国立大学法人京都大学
発明の名称 イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 イオンビーム照射装置及びイオンビーム発散抑制方法
目的 従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制すること。
効果 このように構成した本発明によれば、従来部品の配置が制約されていた磁石近傍のスペースを有効活用することによって、特別な磁極構造を不要としながらも、電子の利用効率を向上して空間電荷効果によるイオンビームの広がりを効率的に抑制することができる。
技術概要
イオンビームをターゲットに照射するイオンビーム照射装置であって、正イオンからなるイオンビームを生成するイオン源と、 前記イオン源及び前記ターゲットの間に設けられ、前記イオン源から出たイオンビームをターゲットに照射するために偏向、収束又は発散させる1又は複数の磁石と、電子を生成する1又は複数の電子源と、を備え、前記電子源が、前記磁石のイオンビーム上流側及び/又は下流側に形成される磁場勾配領域内に配置され、且つ、前記イオンビームが通過する領域外に配置されるとともに、前記電子源の電子射出方向が、前記磁場勾配領域に電子が供給されるように向けられて、前記電子源から射出された電子が、前記磁場勾配領域における前記イオンビームと交わる領域に供給されることを特徴とするイオンビーム照射装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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