化合物薄膜半導体製造装置並びにアンモニアガスの供給装置及び方法

開放特許情報番号
L2015000824
開放特許情報登録日
2015/4/14
最新更新日
2015/4/14

基本情報

出願番号 特願2007-319669
出願日 2007/12/11
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2009-146939
公開日 2009/7/2
登録番号 特許第4933414号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 化合物薄膜半導体製造装置並びにアンモニアガスの供給装置及び方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 気相成長装置、MOCVD装置
目的 アンモニアガスを原料ガスの一つとして使用する化合物薄膜半導体製造装置への水分の混入を十分に低く抑えることができ、安定した状態で高品質、高性能な化合物薄膜半導体を製造することができる化合物薄膜半導体製造装置並びにアンモニアガスの供給装置及び方法を提供する。
効果 化合物薄膜半導体製造装置へのアンモニアガスの供給を開始する前に、供給配管中をアンモニアガスでパージしてアンモニアガスの供給開始時に水分濃度が上昇したガスを系外に排出するようにしているので、化合物薄膜半導体製造装置に水分濃度の高いアンモニアガスが流入することがなく、安定した状態で高品質、高性能な化合物薄膜半導体を製造することができる。
技術概要
 
化合物薄膜半導体製造装置のアンモニアガス入口部における水分濃度に応じてアンモニアガスの供給を制御する。複数のアンモニアガス供給系統を設け、水分濃度が上昇したときに一方のアンモニアガス供給系統から他方のアンモニアガス供給系統に切り換えてアンモニアガスを連続供給する。アンモニアガス供給系統では、アンモニアガス供給開始前に系統内をアンモニアガスによりパージしてからアンモニアガスの供給を開始する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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