MOCVD装置のベーキング方法

開放特許情報番号
L2015000821
開放特許情報登録日
2015/4/14
最新更新日
2015/4/14

基本情報

出願番号 特願2006-029183
出願日 2006/2/7
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2007-214160
公開日 2007/8/23
登録番号 特許第4823706号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 MOCVD装置のベーキング方法
技術分野 機械・加工
機能 洗浄・除去
適用製品 気相成長装置、MOCVD装置
目的 MOCVD装置では、化合物半導体薄膜を成長させる際に、石英ガラス部品にも反応生成物が付着する。この反応生成物は、石英ガラス部品から剥がれやすくなり、パーティクルの発生源となるため、気相成長操作後に石英ガラス部品を加熱するベーキング処理を行い、その後、装置から石英ガラス部品を取り外し、各部品から反応生成物を削り落とす作業が行われている。本発明は、ベーキング処理を行った後の石英ガラス部品からの反応生成物の除去を容易に行うことができるMOCVD装置のベーキング方法を提供する。
効果 ベーキング処理を行った後の石英ガラス部品からの反応生成物の除去を容易に行うことができ、気相成長操作後の反応生成物の除去を短時間で効率よく行うことができる。
技術概要
 
加熱された基板を収容した反応炉(フローチャンネル)内に、有機金属及びアンモニアを含む原料ガスを供給し、基板面に化合物半導体薄膜を気相成長させるMOCVD装置のベーキング方法であって、反応炉を基板の加熱温度以上に加熱した状態で、反応炉内に、水素及び窒素を連続的に流通させるとともに、有機金属及びアンモニアを間欠的に流通させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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