半導体試験装置及び半導体試験方法

開放特許情報番号
L2015000804
開放特許情報登録日
2015/4/14
最新更新日
2015/4/14

基本情報

出願番号 特願2003-403544
出願日 2003/12/2
出願人 エスペック株式会社
公開番号 特開2005-166942
公開日 2005/6/23
登録番号 特許第4040572号
特許権者 エスペック株式会社
発明の名称 半導体試験装置及び半導体試験方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 半導体試験装置
目的 安価で、400℃程度の温度下で適切に半導体のエレクトロマイグレーション評価等を行うことができる半導体試験装置及び半導体試験方法を実現する。
効果 評価試験用信号を印加するための端子部分に接続される測定器等への熱の影響を低減することができるので、評価試験を適切に行うことができる。
技術概要
 
被試験体である半導体ウエハを測定用基板に装着した状態で、評価試験用信号を該測定用基板を介して前記半導体ウエハに印加することで該半導体ウエハの評価試験を行う半導体試験装置において、前記測定用基板に装着された半導体ウエハを、評価試験に必要な温度に設定する高温槽と、前記半導体ウエハを該測定用基板に装着する際に該半導体ウエハを支持するウエハ支持部材とを有し、前記測定用基板は、表面が前記評価試験に必要な温度に耐え得る絶縁膜で覆われた略長方形状の鋼板からなると共に、該半導体ウエハを装着した状態で該半導体ウエハの各ダイのパッドを露出させる貫通孔が形成され、一方の面に、前記半導体ウエハが前記ウエハ支持部材によって支持され、他方の面に、支持された半導体ウエハに前記評価試験用信号を伝送する配線パターンが形成され、前記各ダイのパッドと前記配線パターンとが前記貫通孔を介してワイヤボンディングされた状態で、前記評価試験時に、前記半導体ウエハ装着部分が前記高温槽内に、且つ、上記配線パターンに接続され、前記評価試験用信号を印加するための端子が該高温槽外になるようにセットされていることを特徴とする半導体試験装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 エスペック株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】  アメリカ合衆国
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