| 出願番号 |
特願2012-135627 |
| 出願日 |
2012/6/15 |
| 出願人 |
国立大学法人 名古屋工業大学 |
| 公開番号 |
特開2014-003056 |
| 公開日 |
2014/1/9 |
| 発明の名称 |
半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
| 技術分野 |
化学・薬品 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
| 目的 |
Ｓｉ等の基板上にバッファ層および歪超格子層を設け、さらにＧａＮ系のデバイス層を設けた半導体積層構造の反りを低減する。 |
| 効果 |
本半導体積層構造に、たとえば、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成することにより、ＨＥＭＴ素子を形成することができる。 |
技術概要
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基板上にＡｌ↓ＸＧａ↓（１−Ｘ）Ｎからなるバッファ層、Ａｌ↓ＸＧａ↓（１−Ｘ）Ｎからなる歪超格子層またはＡｌ↓ＸＧａ↓（１−Ｘ）Ｎからなる組成傾斜層、さらにＡｌ↓ＸＧａ↓（１−Ｘ）Ｎからなるデバイス層を順次設けた半導体積層構造であって、室温〜１２００℃における前記基板の熱膨張係数が前記Ａｌ↓ＸＧａ↓（１−Ｘ）Ｎのいずれの層の熱膨張係数より小さく、Ｉｎ↓ＹＧａ↓（１−Ｙ）Ｎからなる層を前記バッファ層、歪超格子層、組成傾斜層、デバイス層のいずれかの層内あるいは層間に設けた半導体積層構造。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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