半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2015000707
開放特許情報登録日
2015/4/8
最新更新日
2015/4/8

基本情報

出願番号 特願2012-135627
出願日 2012/6/15
出願人 国立大学法人 名古屋工業大学
公開番号 特開2014-003056
公開日 2014/1/9
発明の名称 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子
技術分野 化学・薬品
機能 表面処理
適用製品 半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子
目的 Si等の基板上にバッファ層および歪超格子層を設け、さらにGaN系のデバイス層を設けた半導体積層構造の反りを低減する。
効果 本半導体積層構造に、たとえば、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を形成することにより、HEMT素子を形成することができる。
技術概要
基板上にAl↓XGa↓(1−X)Nからなるバッファ層、Al↓XGa↓(1−X)Nからなる歪超格子層またはAl↓XGa↓(1−X)Nからなる組成傾斜層、さらにAl↓XGa↓(1−X)Nからなるデバイス層を順次設けた半導体積層構造であって、室温〜1200℃における前記基板の熱膨張係数が前記Al↓XGa↓(1−X)Nのいずれの層の熱膨張係数より小さく、In↓YGa↓(1−Y)Nからなる層を前記バッファ層、歪超格子層、組成傾斜層、デバイス層のいずれかの層内あるいは層間に設けた半導体積層構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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