| 出願番号 |
特願2013-125018 |
| 出願日 |
2013/6/13 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2015-002217 |
| 公開日 |
2015/1/5 |
| 登録番号 |
特許第6057292号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
ＳｉＣ半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＳｉＣ層で構成される基板を用いた半導体素子の製造方法 |
| 目的 |
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能な半導体素子の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能な半導体素子の製造方法を提供することができる。 |
技術概要
 |
この半導体素子の製造方法では、基板７０に機械的研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、エピタキシャル層形成工程、イオン注入工程、イオン活性化工程、及び第２除去工程を行う。第２除去工程は、イオン活性化工程が行われた基板７０の表面のイオン注入不足部分、及び、マクロステップバンチングを、当該基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、基板７０に電極を形成する電極形成工程を行う。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)