SiC半導体素子の製造方法

開放特許情報番号
L2015000704
開放特許情報登録日
2015/4/6
最新更新日
2017/2/24

基本情報

出願番号 特願2013-125018
出願日 2013/6/13
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2015-002217
公開日 2015/1/5
登録番号 特許第6057292号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 SiC半導体素子の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 SiC層で構成される基板を用いた半導体素子の製造方法
目的 バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能な半導体素子の製造方法を提供する。
効果 バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能な半導体素子の製造方法を提供することができる。
技術概要
この半導体素子の製造方法では、基板70に機械的研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、エピタキシャル層形成工程、イオン注入工程、イオン活性化工程、及び第2除去工程を行う。第2除去工程は、イオン活性化工程が行われた基板70の表面のイオン注入不足部分、及び、マクロステップバンチングを、当該基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。その後、基板70に電極を形成する電極形成工程を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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