| 出願番号 |
特願2013-125020 |
| 出願日 |
2013/6/13 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2015-002218 |
| 公開日 |
2015/1/5 |
| 登録番号 |
特許第6080075号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
ＳｉＣ基板の表面処理方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
表面処理 |
| 適用製品 |
ＳｉＣ層で構成される基板の表面処理方法 |
| 目的 |
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去するとともに、エピタキシャル層に生じたマクロステップバンチングを除去可能なＳｉＣ基板の表面処理方法を提供する。 |
| 効果 |
バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能なＳｉＣ基板の表面処理方法を提供することができる。 |
技術概要
 |
このＳｉＣ基板の表面処理方法では、以下の第１工程及び第２工程の何れかを含む。第１除去工程では、基板７０に機械的研磨や化学機械研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。第２除去工程では、エピタキシャル層７１に生じたマクロステップバンチングを、基板７０をＳｉ蒸気圧下で加熱することで除去する。なお、エッチング速度は可変であるので、第１除去工程のエッチング速度を速くすることで、変質層を短時間で除去できる。一方、第２除去工程のエッチング速度を比較的遅くすることで、エピタキシャル層７１の過剰な除去を防止できる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)