SiC基板の表面処理方法

開放特許情報番号
L2015000703
開放特許情報登録日
2015/4/6
最新更新日
2017/4/5

基本情報

出願番号 特願2013-125020
出願日 2013/6/13
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2015-002218
公開日 2015/1/5
登録番号 特許第6080075号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 SiC基板の表面処理方法
技術分野 電気・電子
機能 表面処理
適用製品 SiC層で構成される基板の表面処理方法
目的 バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去するとともに、エピタキシャル層に生じたマクロステップバンチングを除去可能なSiC基板の表面処理方法を提供する。
効果 バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去可能なSiC基板の表面処理方法を提供することができる。
技術概要
このSiC基板の表面処理方法では、以下の第1工程及び第2工程の何れかを含む。第1除去工程では、基板70に機械的研磨や化学機械研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。第2除去工程では、エピタキシャル層71に生じたマクロステップバンチングを、基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。なお、エッチング速度は可変であるので、第1除去工程のエッチング速度を速くすることで、変質層を短時間で除去できる。一方、第2除去工程のエッチング速度を比較的遅くすることで、エピタキシャル層71の過剰な除去を防止できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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