絶縁膜のダメージ回復方法

開放特許情報番号

L2015000620

開放特許情報登録日

2015/3/25

最新更新日

2015/3/25

基本情報

出願番号	特願2008-512134
出願日	2007/4/18
出願人	大陽日酸株式会社
公開番号	WO2007/123151
公開日	2007/11/1
登録番号	特許第5178511号
特許権者	大陽日酸株式会社
発明の名称	絶縁膜のダメージ回復方法
技術分野	電気・電子、無機材料、化学・薬品
機能	表面処理
適用製品	半導体製造装置
目的	半導体製造装置の絶縁膜としては、誘電率が3.0以下の膜が必要となり、Si系およびSiを含まない有機系の材料を用いた膜の開発が活発に行われている。これは膜自体の機械的強度が低く、プラズマ耐性も低いと言う特性を有しているため、プラズマ処理を受けた際に、絶縁膜を構成する有機基が切断されて脱離するなど、絶縁膜誘電率上昇など電気的特性が劣化する。 この絶縁膜のダメージ回復処理に際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
効果	プラズマ処理を受けて生じたシラノール基が回復処理により消滅し、ダメージを受けた絶縁膜の誘電率をほぼ完全なまでにプラズマ処理前の値に回復させることができる。また、ダメージを受けた絶縁膜と回復剤との反応によって生成する副生成物が、二酸化炭素や酸素などの常温で気体であるため、配線材料上に回復剤あるいはその反応生成物が残留することがなく、後工程に悪影響を与えることがない。さらに、回復処理をドライプロセスで行うことが可能となるので、量産性にも優れる。
技術概要	プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、ニトロ基、カルボニル基、のうち少なくとも1種以上と、炭化水素基または水素基の1種以上を有する分子構造の化合物であって、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸ジフェニル、炭酸プロピレン、炭酸ジフルオロメチル、2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン、2,2,6,6-テトラフルオロメチル-3,5-ヘプタンジオン、2,2,6,6-テトラエチル-3,5-ヘプタンジオン、2-ジメチル-3,5-ヘキサンジオン、2-ジエチル-3,5-ヘキサンジオン、2-ジメチル-3,5-ペンタンジオン、2-ジエチル-3,5-ペンタンジオン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、ジエチルケトン、ヘキサノン-2、ヘキサノン-3、アセトニルアセトン、メシチルオキシド、ホロン、アセチルアセトン、ヘキサフルオロアセトン、ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロアルデヒド、ヘプタアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、1,2,4-1Hトリアゾール、ホルムアルデヒド、ギ酸、酢酸、無水酢酸、無水ギ酸、ギ酸メチル、又はギ酸エチルからなる回復剤の少なくとも1種以上と接触させる。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	大陽日酸株式会社

その他の情報

その他の提供特許	登録番号１ ５１３２２４４ 登録番号２ ５１７３３９６ 登録番号３ ５５３０７４４
関連特許	国内 【有】 国外 【無】