| 出願番号 |
特願2012-162720 |
| 出願日 |
2012/7/23 |
| 出願人 |
国立大学法人 名古屋工業大学 |
| 公開番号 |
特開2014-022685 |
| 公開日 |
2014/2/3 |
| 発明の名称 |
半導体積層構造、ＨＥＭＴ素子、発光素子 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体積層構造およびこれを用いた半導体素子 |
| 目的 |
Ｓｉ等の基板上にいずれもＡｌＧａＮ系半導体のバッファ層、歪超格子層あるいは組成傾斜層、半導体デバイス層を順次設けた半導体積層構造の反りを低減する。 |
| 効果 |
本発明の半導体積層構造は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ、ＨＥＭＴ）あるいは発光素子等の半導体素子に用いられる。 |
技術概要
 |
基板上にバッファ層、歪超格子層、チャネル層、およびバリア層なるＡｌＧａＮ系半導体層を順次設けた半導体積層構造であって、室温〜１２００℃における前記基板の熱膨張係数が前記半導体層のいずれの熱膨張係数より小さく、歪超格子層の膜厚（ｔ↓（ＳＬ））、チャネル層の膜厚（ｔ↓（ＣＨ））、および半導体層の総厚（ｔ↓（ＴＯＴＡＬ））との関係が、０．７５≦ｔ↓（ＳＬ）／ｔＴＯＴＡＬ≦０．９０ 、または０．７５≦ｔ↓（ＳＬ）／（ｔ↓（ＳＬ）＋ｔ↓（ＣＨ））≦０．９０である半導体積層構造。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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