絶縁膜のダメージ回復方法および回復剤

開放特許情報番号
L2015000579
開放特許情報登録日
2015/3/25
最新更新日
2015/3/25

基本情報

出願番号 特願2007-271201
出願日 2007/10/18
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2009-099839
公開日 2009/5/7
登録番号 特許第5132244号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 絶縁膜のダメージ回復方法および回復剤
技術分野 電気・電子、無機材料、化学・薬品
機能 表面処理
適用製品 半導体製造装置
目的 半導体装置の層間絶縁膜などの絶縁膜にあっては、誘電率が4以下の低誘電率絶縁膜が用いられるが、多孔質材料からなる低誘電率絶縁膜では、膜自体の機械的強度が低く、プラズマ耐性も低い。そこで、ダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによって処理が行われ、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。
効果 プラズマ処理を受けて生じたシラノール基が回復処理により消滅し、ダメージを受けた絶縁膜をほぼ完全なまでに回復させることができる。また、ダメージを受けた絶縁膜と回復剤との反応によって生成される副生成物が、二酸化炭素や酸素などの常温で気体であるため、配線材料上に回復剤あるいはその反応生成物が残留することがなく、後工程に悪影響を与えることがない。さらに、回復処理がドライプロセスで行われるので量産性にも優れている。
技術概要
 
プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、tert-ブチル基を有する化合物、炭化水素基とアミノ基を含む化合物、および乳酸化合物のうち少なくとも1種以上からなり、シリコンを含まない回復剤と接触させてダメージ回復処理を行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

その他の提供特許
登録番号1 5173396
登録番号2 5178511
登録番号3 5530744
関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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