絶縁膜のダメージ回復処理方法

開放特許情報番号
L2015000577
開放特許情報登録日
2015/3/25
最新更新日
2015/3/25

基本情報

出願番号 特願2007-333106
出願日 2007/12/25
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2009-158610
公開日 2009/7/16
登録番号 特許第5173396号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 絶縁膜のダメージ回復処理方法
技術分野 電気・電子、無機材料、化学・薬品
機能 表面処理
適用製品 半導体製造装置
目的 半導体製造装置の層間絶縁膜などの絶縁膜としては、誘電率が3.0以下の膜が用いられているが、これらの膜自体の機械的強度が低く、プラズマ耐性も低いと言う特性を有しているため、プラズマ処理を受けた際に、絶縁膜を構成する有機基が切断されて脱離するなど、絶縁膜誘電率上昇など電気的特性が劣化する。
このプラズマダメージを受けた低誘電率絶縁膜を回復剤に接触させて回復する際に、絶縁膜中での回復剤濃度を高めることができて、効率的に回復処理が進行でき、回復後の絶縁膜の特性も良好となる回復処理方法を提供する。
効果 チャンバー内に導入された回復剤蒸気がチャンバーの内壁面で凝縮することがなくなり、このためすべての回復剤蒸気が気相中に存在することになって、気相中の回復剤濃度が高くなり、結果的に絶縁膜中の回復剤濃度が高くなって、絶縁膜中の活性サイト、例えばシラノール基と回復剤との反応が効率的に進行して、ダメージ回復処理が良好になる。
技術概要
 
プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板を、チャンバー内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバーの内壁の温度を回復剤の沸点よりも高温とし、しかも基板の温度よりも高温とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

その他の提供特許
登録番号1 5132244
登録番号2 5178511
登録番号3 5530744
関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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