| 出願番号 |
特願2008-111377 |
| 出願日 |
2008/4/22 |
| 出願人 |
大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 |
特開2009-266884 |
| 公開日 |
2009/11/12 |
| 登録番号 |
特許第5214316号 |
| 特許権者 |
大陽日酸株式会社 |
| 発明の名称 |
プラズマ成膜装置のクリーニング方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、化学・薬品 |
| 機能 |
表面処理、洗浄・除去 |
| 適用製品 |
プラズマＣＶＤ成膜装置 |
| 目的 |
プラズマCVD成膜装置のチャンバーおよび排気管路内に堆積した堆積物を除去する場合において、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスをクリーニング用ガスとして使用してプラズマ処理によりクリーニングする際に、アーキングの発生を抑えてチャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じない技術を提供する。 |
| 効果 |
プラズマ処理時において、放電電圧が従来のクリーニング用ガスを使用した場合とほぼ同じになって、むやみに高くなることがなく、しかもセルフバイアス電圧も大きな負の値になることがなくなる。このため、アーキングといわれるプラズマの局部的異常放電の発生が抑えられ、チャンバー内の各種パーツを損傷せず、成膜異常などが生じなくなる。また、地球温暖化物質の排出量も少なくなる。 |
技術概要
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クリーニング用ガスとして、ハイドロフルオロカーボンガスと酸素と解離性ガスを含み、解離性ガスの割合がハイドロフルオロカーボンガスと酸素の合計量の5〜10vol％である混合ガスを用いて、プラズマ処理する。ハイドロフルオロカーボンガスとしては、ペンタフルオロエタンガスが好ましく、解離性ガスには、CF4、C2F6、C3F8、c-C4F8、NF3、N2Oのいずれか1種以上が好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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