半導体装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2015000545
開放特許情報登録日
2015/3/23
最新更新日
2016/8/24

基本情報

出願番号 特願2014-245260
出願日 2014/12/3
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2016-111096
公開日 2016/6/20
発明の名称 半導体装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置及びその製造方法
目的 隣接するウェル間のパンチスルー電流を実用上差し支えない程度に低減又は阻止するような耐圧にし、ウェル分離による面積を削減する。
効果 本発明によれば、隣接するウェル間のパンチスルー電流を実用上差し支えない程度に低減又は阻止するような耐圧にでき、これによりウェル分離による面積を従来に比べて削減することができる。
技術概要
半導体装置30は、隣接するディープNウェル32a及び32b間のP型基板31の深層に高濃度ディープP領域33を設けて、隣接するディープNウェル32a及び32b間の耐圧を向上する。これにより、隣接するディープNウェル32a及び32b同士の間でP型基板31を通して流れるパンチスルー電流と、隣接する表層のNウェル34a及び34b同士の間でP型基板31の深層を通して流れるパンチスルー電流を大幅に低減、あるいは阻止するようにできる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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