積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法

開放特許情報番号
L2015000540
開放特許情報登録日
2015/3/23
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2013-009148
出願日 2013/1/22
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2013-236052
公開日 2013/11/21
登録番号 特許第5615945号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法
目的 酸化物を誘電体層又は、誘電体層と電極層に適用した積層キャパシターの高性能化、及びそのような積層キャパシターの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
効果 本発明の1つの積層キャパシターによれば、リーク電流を低く抑えるとともに平坦性が優れた誘電体層を有する、電極層と誘電体層とが交互に少なくとも2回積み重ねられた構造を一部に備える積層キャパシターが実現される。また、本発明の1つの積層キャパシターの製造方法によれば、比較的簡素な処理によって第1酸化物層及び第2酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れた積層キャパシターの製造方法を提供することができる。
技術概要
電極層と誘電体層とが、それぞれ一層積み重ねられた構造を一部に備え、
前記誘電体層は、
ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物、又はビスマス(Bi)と亜鉛(Zn)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される、完全に結晶化をさせない第1酸化物層と、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される、完全に結晶化をさせない第2酸化物層との積層酸化物からなる、
積層キャパシター。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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