| 出願番号 |
特願2013-009148 |
| 出願日 |
2013/1/22 |
| 出願人 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
特開2013-236052 |
| 公開日 |
2013/11/21 |
| 登録番号 |
特許第5615945号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法 |
| 目的 |
酸化物を誘電体層又は、誘電体層と電極層に適用した積層キャパシターの高性能化、及びそのような積層キャパシターの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。 |
| 効果 |
本発明の１つの積層キャパシターによれば、リーク電流を低く抑えるとともに平坦性が優れた誘電体層を有する、電極層と誘電体層とが交互に少なくとも２回積み重ねられた構造を一部に備える積層キャパシターが実現される。また、本発明の１つの積層キャパシターの製造方法によれば、比較的簡素な処理によって第１酸化物層及び第２酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れた積層キャパシターの製造方法を提供することができる。 |
技術概要
 |
電極層と誘電体層とが、それぞれ一層積み重ねられた構造を一部に備え、
前記誘電体層は、
ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物、又はビスマス（Ｂｉ）と亜鉛（Ｚｎ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物（不可避不純物を含み得る）によって構成される、完全に結晶化をさせない第１酸化物層と、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の酸化物（不可避不純物を含み得る）によって構成される、完全に結晶化をさせない第２酸化物層との積層酸化物からなる、
積層キャパシター。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)