固体電子装置
- 開放特許情報番号
- L2015000538
- 開放特許情報登録日
- 2015/3/23
- 最新更新日
- 2022/8/30
基本情報
| 出願番号 | 特願2012-551404 |
|---|---|
| 出願日 | 2012/10/25 |
| 出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/5/16 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 | 固体電子装置 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 固体電子装置 |
| 目的 | 工業性ないし量産性に優れた製造方法によって得られる、固体電子装置の絶縁層としての高い特性を有する材料を選定し、固体電子装置の製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。 |
| 効果 | 固体電子装置によれば、真空プロセスやフォトリソグラフィー法を用いたプロセス、あるいは紫外線の照射プロセス等、比較的長時間、及び／又は高価な設備を必要とするプロセスが不要になり、各プロセスを要せずに、比較的低温の加熱処理によって酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れる。
また、所望の型押し構造を一層高い精度で形成することが可能となり、型押し加工が施される際に型が損傷し難くなるとともに、大面積化にも有利となる。 |
技術概要) |
ビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体及びニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより形成される、前記ビスマス（Ｂｉ）と前記ニオブ（Ｎｂ）からなる酸化物層（不可避不純物を含み得る）を備え、
前記酸化物層を形成するための加熱温度が、５２０℃以上５５０℃以下であり、かつ 前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、 固体電子装置。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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