固体電子装置
- 開放特許情報番号
- L2015000538
- 開放特許情報登録日
- 2015/3/23
- 最新更新日
- 2022/8/30
基本情報
出願番号 | 特願2012-551404 |
---|---|
出願日 | 2012/10/25 |
出願人 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
公開番号 | |
公開日 | 2013/5/16 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 |
発明の名称 | 固体電子装置 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 固体電子装置 |
目的 | 工業性ないし量産性に優れた製造方法によって得られる、固体電子装置の絶縁層としての高い特性を有する材料を選定し、固体電子装置の製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。 |
効果 | 固体電子装置によれば、真空プロセスやフォトリソグラフィー法を用いたプロセス、あるいは紫外線の照射プロセス等、比較的長時間、及び/又は高価な設備を必要とするプロセスが不要になり、各プロセスを要せずに、比較的低温の加熱処理によって酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れる。
また、所望の型押し構造を一層高い精度で形成することが可能となり、型押し加工が施される際に型が損傷し難くなるとともに、大面積化にも有利となる。 |
技術概要![]() |
ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより形成される、前記ビスマス(Bi)と前記ニオブ(Nb)からなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層を形成するための加熱温度が、520℃以上550℃以下であり、かつ 前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、 固体電子装置。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
---|---|
その他の情報
関連特許 |
|
---|