固体電子装置

開放特許情報番号
L2015000538
開放特許情報登録日
2015/3/23
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2012-551404
出願日 2012/10/25
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2013/069470
公開日 2013/5/16
登録番号 特許第5293983号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 固体電子装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 固体電子装置
目的 工業性ないし量産性に優れた製造方法によって得られる、固体電子装置の絶縁層としての高い特性を有する材料を選定し、固体電子装置の製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
効果 固体電子装置によれば、真空プロセスやフォトリソグラフィー法を用いたプロセス、あるいは紫外線の照射プロセス等、比較的長時間、及び/又は高価な設備を必要とするプロセスが不要になり、各プロセスを要せずに、比較的低温の加熱処理によって酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れる。
また、所望の型押し構造を一層高い精度で形成することが可能となり、型押し加工が施される際に型が損傷し難くなるとともに、大面積化にも有利となる。
技術概要
ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより形成される、前記ビスマス(Bi)と前記ニオブ(Nb)からなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層を形成するための加熱温度が、520℃以上550℃以下であり、かつ
前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、
固体電子装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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