酸化物層及び酸化物層の製造方法、並びにその酸化物層を備えるキャパシタ、半導体装置、及び微小電気機械システム

開放特許情報番号
L2015000523
開放特許情報登録日
2015/3/23
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2013-046550
出願日 2013/3/8
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2014-175453
公開日 2014/9/22
発明の名称 酸化物層及び酸化物層の製造方法、並びにその酸化物層を備えるキャパシタ、半導体装置、及び微小電気機械システム
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 酸化物層及び酸化物層の製造方法、並びにその酸化物層を備えるキャパシタ、半導体装置、及び微小電気機械システム
目的 高い誘電率を備えたビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層を提供する。
効果 従来と比較して高い比誘電率を備えることができるため、各種の固体電子装置の電気特性を向上させることが可能となる。
また、この酸化物層の製造方法は、工業性又は量産性に優れる。
技術概要
本発明の1つの酸化物層30は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備えている。加えて、酸化物層30が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有している。その結果、従来法では得られなかった高い誘電率を備えたビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物を含む酸化物層30を得ることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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