IV族クラスレートの合成方法

開放特許情報番号
L2015000504
開放特許情報登録日
2015/3/18
最新更新日
2016/10/27

基本情報

出願番号 特願2015-033516
出願日 2015/2/24
出願人 国立大学法人岐阜大学
公開番号 特開2016-155698
公開日 2016/9/1
発明の名称 IV族クラスレートの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 IV族クラスレートを効率よく製造する方法
目的 膜状のクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
効果 本発明のクラスレートの製造方法は、好適な膜状のシリコンクラスレートを製造することができる。その結果得られたクラスレートは、太陽電地、熱電素子、超伝導材料として利用可能である。
技術概要
クラスレートの製造方法であって、
ゲスト原子を収容した開口部を有する容器と、IV族元素のホスト原子からなる基板と、を反応容器内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500℃以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱する第一加熱工程と、
ゲスト原子を収容した前記容器とホスト原子からなる前記基板とが配置されている反応容器を冷却する冷却工程と、
前記基板を、10−2Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程と、
を備えており、
第一加熱工程において、ホスト原子からなる前記基板を、前記容器の開口部よりも低い位置に配置することを特徴とするクラスレートの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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